IRL2203N、IRL2203NPBF、AUIRL2203N对比区别

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型号 IRL2203N IRL2203NPBF AUIRL2203N

描述 TO-220AB N-CH 30V 116AINFINEON  IRL2203NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 7 mohm, 10 V, 1 VINFINEON  AUIRL2203N  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 - 130 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 7.00 mΩ 0.007 Ω 0.007 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 130 W 130 W 180 W

阈值电压 - 1 V 1 V

输入电容 - 3290 pF -

漏源极电压(Vds) 30.0 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30 V -

连续漏极电流(Ids) 116 A 116A 116A

上升时间 160 ns 160 ns 160 ns

输入电容(Ciss) - 3290pF @25V(Vds) 3290pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 180 W -

下降时间 - 66 ns 66 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 180W (Tc) 180W (Tc)

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 116 A - -

产品系列 IRL2203N - -

栅源击穿电压 ±16.0 V - -

长度 - 10 mm 10.67 mm

宽度 - 4.4 mm 4.83 mm

高度 - 15.65 mm 9.02 mm

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Bulk Tube Rail, Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17