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BZX84J-C5V1、BZX84J-C5V1,115、BZX84J-B4V7,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX84J-C5V1 BZX84J-C5V1,115 BZX84J-B4V7,115

描述 550mW,BZX84J 系列,NXP SemiconductorsNXP 的 BZX84J 系列齐纳二极管为通用设备。 这些单齐纳二极管采用 SOD323F (SC-90) 封装。 此塑料封装为非常小巧的扁平引线表面安装(贴片)。 BZX84J 系列特别适用于一般调节功能。 \- 非重复峰值反向功耗:40mW \- 总功耗:550mW \- 小型塑料封装,用于表面安装设计 \- 宽工作电压范围:标称 2.4V 至 75V(E24 系列) \- 两个容差系列:2% 和 5% \- 低差分电阻 ### 齐纳二极管,NXP SemiconductorsNXP BZX84J-C5V1,115 单路 齐纳二极管, 5.1V 3% 550 mW, 2引脚 SOD-323F封装Nexperia BZX84J-B4V7,115 单路 齐纳二极管, 4.7V 2% 550 mW, 2引脚 SOD-323F封装

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) Nexperia (安世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SOD-323 SOD-323 SOD-323

容差 - ±5 % ±2 %

针脚数 - 2 2

正向电压 - 1.1V @100mA 1.1V @100mA

耗散功率 550 mW 550 mW 550 mW

测试电流 5 mA 5 mA 5 mA

稳压值 5.1 V 5.1 V 4.7 V

额定功率(Max) - 550 mW 550 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 550 mW 550 mW 550 mW

电容 - 300 pF -

正向电压(Max) - 1.1V @100mA -

长度 1.8 mm 1.8 mm 1.8 mm

宽度 1.35 mm 1.35 mm 1.35 mm

高度 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm

封装 SOD-323 SOD-323 SOD-323

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

温度系数 -2.7 mV/K -0.75 mV/K -1.65 mV/K

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99 -