IRFR3411、IRFR3411PBF、IRFR3411TRPBF对比区别
型号 IRFR3411 IRFR3411PBF IRFR3411TRPBF
描述 DPAK N-CH 100V 32AN 通道功率 MOSFET 30A 至 39A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 - 130 W 130 W
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.036 Ω 0.036 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 130 W 130 W 130 W
阈值电压 - 4 V 4 V
输入电容 - 1960pF @25V 1960 pF
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V -
连续漏极电流(Ids) 32.0 A 32A 32A
上升时间 - 35 ns 35 ns
输入电容(Ciss) - 1960pF @25V(Vds) 1960pF @25V(Vds)
下降时间 - 35 ns 35 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 130W (Tc) 130W (Tc)
产品系列 IRFR3411 - -
额定功率(Max) - - 130 W
长度 - 6.73 mm 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm 7.49 mm
高度 - 2.39 mm 2.39 mm
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -