JAN2N3498L、JANS2N3498L对比区别
描述 NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTORNPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR
数据手册 --
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 -
封装 TO-5 TO-5
耗散功率 1 W -
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V
最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 10V -
额定功率(Max) 1 W -
工作温度(Max) 200 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -
耗散功率(Max) 1000 mW -
极性 - NPN
集电极最大允许电流 - 0.5A
封装 TO-5 TO-5
材质 Silicon -
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tray -
RoHS标准 Non-Compliant -
含铅标准 -
ECCN代码 EAR99 -