BUK9Y30-75B、BUK9Y30-75B,115对比区别

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型号 BUK9Y30-75B BUK9Y30-75B,115

描述 NXP  BUK9Y30-75B  晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 75 V, 28 mohm, 5 V, 1.5 V晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 75 V, 0.028 ohm, 5 V, 1.5 V

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 5

封装 SOT-669 SOT-669

针脚数 4 4

漏源极电阻 0.028 Ω 0.028 Ω

极性 N-Channel -

耗散功率 85 W 85 W

阈值电压 1.5 V 1.5 V

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 34.0 A -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

输入电容 - 1550 pF

上升时间 - 106 ns

输入电容(Ciss) - 2070pF @25V(Vds)

下降时间 - 83 ns

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 85W (Tc)

封装 SOT-669 SOT-669

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)