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GP30KHE3/54、GP30K-E3/54、BYW85-TAP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GP30KHE3/54 GP30K-E3/54 BYW85-TAP

描述 DIODE 3A, 800V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier DiodeDIODE 3A, 800V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier DiodeRectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Intertechnology

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-201AD DO-201AD-2 -

正向电压 1.1V @3A 1.1V @3A -

反向恢复时间 5 µs 5 µs -

正向电流 3 A 3 A -

正向电压(Max) 1.1V @3A 1.1V @3A -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) 65 ℃ 65 ℃ -

长度 9.5 mm 9.5 mm -

宽度 5.3 mm 5.3 mm -

高度 5.3 mm 5.3 mm -

封装 DO-201AD DO-201AD-2 -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -