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IDT71T75602S200PF、IDT71T75602S200PFG8、IDT71T75602S200PFGI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT71T75602S200PF IDT71T75602S200PFG8 IDT71T75602S200PFGI

描述 512K ×36 , 1M ×18 2.5V同步ZBT⑩ SRAM的2.5VI / O,突发计数器输出流水线 512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT⑩ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined OutputsIC SRAM 18Mbit 200MHz 100TQFPIC SRAM 18Mbit 200MHz 100TQFP

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 LQFP-100 LQFP-100 LQFP-100

电源电压 2.375V ~ 2.625V 2.375V ~ 2.625V 2.375V ~ 2.625V

封装 LQFP-100 LQFP-100 LQFP-100

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 3A991 3A991 3A991