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BYG10D-E3/TR3、BYG10D-E3/TR、BYG10D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BYG10D-E3/TR3 BYG10D-E3/TR BYG10D

描述 Diode Switching 200V 1.5A 2Pin SMA T/RVISHAY  BYG10D-E3/TR  标准恢复二极管, 雪崩, 单, 200 V, 1.5 A, 1.15 V, 4 µs, 30 ARectifier Diode, 1 Element, 1.5A, 200V V(RRM)

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Intertechnology

分类 TVS二极管整流二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 2 -

封装 DO-214AC DO-214AC -

额定电流 - 1.50 A -

负载电流 - 1.15 A -

针脚数 - 2 -

正向电压 1.15V @1.5A 1.15V @1.5A -

反向恢复时间 4000 ns 4 µs -

正向电流 1.5 A 1.5 A -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 30 A -

正向电压(Max) 1.15V @1.5A 1.15 V -

正向电流(Max) - 1.5 A -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -

工作结温(Max) - 150 ℃ -

长度 4.5 mm 4.5 mm -

宽度 2.79 mm 2.79 mm -

高度 2.09 mm 2.09 mm -

封装 DO-214AC DO-214AC -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -