IPD50R650CEATMA1、IPD60R380C6、IPD50R650CE对比区别
型号 IPD50R650CEATMA1 IPD60R380C6 IPD50R650CE
描述 Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R650CEATMA1, 6.1 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 47 W 83 W 47W (Tc)
漏源极电压(Vds) 500 V 600 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 6.1A 10.6A 6.1A
上升时间 5 ns 10 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 342pF @100V(Vds) 700pF @100V(Vds) 342pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 47 W 83 W 47 W
下降时间 13 ns 9 ns 13 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 69W (Tc) 83W (Tc) 47W (Tc)
额定功率 47 W - -
通道数 1 1 -
漏源极电阻 0.59 Ω 0.34 Ω -
阈值电压 3 V 3 V -
针脚数 - 3 -
长度 6.73 mm 6.5 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.41 mm 2.3 mm 2.41 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -