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BSC600N25NS3G、IPB600N25N3G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC600N25NS3G IPB600N25N3G

描述 Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 3

封装 TDSON-8 TO-263-3-2

输入电容(Ciss) 1770pF @100V(Vds) 1770pF @100V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 125 W 136 W

上升时间 10 ns -

下降时间 8 ns -

长度 6.1 mm 10.31 mm

宽度 5.35 mm 9.45 mm

高度 1.1 mm 4.57 mm

封装 TDSON-8 TO-263-3-2

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free