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AS4C512M8D3-12BCN、AS4C512M8D3-12BCNTR、IS43TR85120A-125KBL-TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AS4C512M8D3-12BCN AS4C512M8D3-12BCNTR IS43TR85120A-125KBL-TR

描述 DDR DRAM, 512MX8, CMOS, PBGA78, 9 X 10.5MM, 1.2MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, FBGA-78动态随机存取存储器 4G 1.5V 1600Mhz 512M x 8 DDR3动态随机存取存储器 4G, 1.5V, 1600MT/s 512M x 8 DDR3

数据手册 ---

制造商 Alliance Memory (联盟记忆) Alliance Memory (联盟记忆) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 TFBGA-78 TFBGA-78 BGA-78

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - - 78

电源电压 1.425V ~ 1.575V 1.425V ~ 1.575V 1.425V ~ 1.575V

存取时间 - 13.75 ns 20 ns

工作温度(Max) - 95 ℃ 95 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

位数 - - 8

封装 TFBGA-78 TFBGA-78 BGA-78

工作温度 0℃ ~ 95℃ 0℃ ~ 95℃ 0℃ ~ 95℃

产品生命周期 Active Discontinued at Digi-Key Last Time Buy

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS-conform RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

ECCN代码 EAR99 - -