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CY7C1370C-167BGC、CY7C1370D-200BGXC、CY7C1370D-167BGXC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1370C-167BGC CY7C1370D-200BGXC CY7C1370D-167BGXC

描述 512K ×36 / 1M ×18的SRAM流水线与NOBL架构 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM with NoBL Architecture18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线式SRAM与NoBL⑩架构 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线式SRAM与NoBL⑩架构 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM with NoBL? Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 BGA BGA-119 BGA

引脚数 - 119 -

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) - -

时钟频率 167MHz (max) - -

存取时间 167 µs 3 ns -

内存容量 18000000 B - -

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

电源电压 - 3.135V ~ 3.6V -

封装 BGA BGA-119 BGA

高度 - 1.46 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Bulk Tray -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) -