JANTX2N6353、JANTXV2N6353、JAN2N6353对比区别

高亮显示差异参数

型号 JANTX2N6353 JANTXV2N6353 JAN2N6353

描述 NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORNPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORNPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 4 4 4

封装 TO-213 TO-213 TO-213

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 2000 mW 2000 mW 2 W

击穿电压(集电极-发射极) 150 V 150 V 150 V

集电极最大允许电流 5A 5A 5A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @5A, 5V 1000 @5A, 5V 1000 @5A, 5V

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW 2000 mW

封装 TO-213 TO-213 TO-213

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99