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K4B1G0846E-HCH9、NT5CB128M8DN-DH、H5TQ1G83BFR-H9C对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 K4B1G0846E-HCH9 NT5CB128M8DN-DH H5TQ1G83BFR-H9C

描述 1Gbit DDR3 SDRAM 1333MHz 78-FBGA - K4B1G0846E-HCH9DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.5V 78Pin WBGADDR DRAM, 128MX18, 20ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE & ROHS COMPLIANT, FPBGA-78

数据手册 ---

制造商 Samsung (三星) Nanya (南亚) SK Hynix (海力士)

分类

基础参数对比

封装 TFBGA TFBGA TFBGA

封装 TFBGA TFBGA TFBGA

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free