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PMF280UN、PMF280UN,115、PMF290XN对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PMF280UN PMF280UN,115 PMF290XN

描述 PMF280UN N沟道MOSFET 20V 1.02A SOT-323/SC-70 marking/标记 快速开关/低功率损耗/极低的RDSNXP  PMF280UN,115  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 20 V, 0.28 ohm, 4.5 V, 700 mVSmall Signal Field-Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-323 SOT-323-3 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.28 Ω -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 - 560 mW -

阈值电压 - 700 mV -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V -

连续漏极电流(Ids) 1.02A 1.02 A -

输入电容(Ciss) - 45pF @20V(Vds) -

额定功率(Max) - 560 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 560mW (Tc) -

封装 SOT-323 SOT-323-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -