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1N759A、JANTXV1N759A-1、1N759ATR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N759A JANTXV1N759A-1 1N759ATR

描述 Zener Diode 12V 5% 0.5W(1/2W) Do-35 CaseSILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESDiode Zener Single 12V 5% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35 T/R

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics Microsemi (美高森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 分立器件齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 2 2

封装 - DO-35-2 DO-35-2

额定电压(DC) - - 12.0 V

容差 - ±5 % ±5 %

额定功率 - - 400 mW

正向电压 - 1.1V @200mA 1.5V @200mA

耗散功率 - 480 mW 500 mW

测试电流 - 20 mA 20 mA

稳压值 - 12 V 12 V

正向电压(Max) - - 1.5V @200mA

额定功率(Max) - 500 mW 500 mW

工作温度(Max) - 175 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ 65 ℃

长度 - 5.08 mm 4.56 mm

宽度 - - 1.91 mm

高度 - - 1.91 mm

封装 - DO-35-2 DO-35-2

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 200℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - Bag Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

ECCN代码 - - EAR99