IRFZ34EPBF、IRFZ44EPBF、STP36NF06L对比区别

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型号 IRFZ34EPBF IRFZ44EPBF STP36NF06L

描述 INFINEON  IRFZ34EPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 60 V, 42 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRFZ44EPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 60 V, 23 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STP36NF06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 - 110 W 70 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.042 Ω 0.023 Ω 0.032 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 68 W 110 W 70 W

阈值电压 4 V 4 V 2.5 V

输入电容 - 1360 pF -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 60 V 60.0 V

连续漏极电流(Ids) 28.0 A 48A 30.0 A

上升时间 30.0 ns 60 ns 80 ns

输入电容(Ciss) 680pF @25V(Vds) 1360pF @25V(Vds) 660pF @25V(Vds)

下降时间 - 70 ns 13 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 68W (Tc) 110W (Tc) 70W (Tc)

额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V

额定电流 28.0 A - 30.0 A

通道数 - - 1

栅源击穿电压 - - ±18.0 V

额定功率(Max) - - 70 W

产品系列 IRFZ34E - -

长度 - 10.54 mm 10.4 mm

高度 - 8.77 mm 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

宽度 - - 4.6 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99