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FS70UM-2-A8、IXTP75N10P、FS70UM-2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FS70UM-2-A8 IXTP75N10P FS70UM-2

描述 高速开关用N沟道功率MOS FET High-Speed Switching Use Nch Power MOS FETIXYS SEMICONDUCTOR  IXTP75N10P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 75 A, 100 V, 25 mohm, 10 V, 5.5 V高速开关用N沟道功率MOS FET High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) IXYS Semiconductor Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

引脚数 - 3 -

极性 N-CH N-Channel -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 70A 75.0 A 70.0 A

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 70.0 A

上升时间 - 53 ns 175 ns

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.025 Ω -

耗散功率 - 360 W -

阈值电压 - 5.5 V -

输入电容(Ciss) - 2250pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 360 W -

下降时间 - 45 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 360000 mW -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

高度 - 9.15 mm -

产品生命周期 Not Recommended Active Unknown

包装方式 - Tube Bulk

RoHS标准 - RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -