FQD12N20L、PSMN130-200D,118、IRFR13N20DPBF对比区别
型号 FQD12N20L PSMN130-200D,118 IRFR13N20DPBF
描述 LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFETNXP PSMN130-200D,118 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 200 V, 0.12 ohm, 10 V, 3 VINFINEON IRFR13N20DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 200 V, 235 mohm, 10 V, 5.5 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - 3 3
额定功率 2.5 W - 110 W
极性 N-CH N-Channel N-Channel
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 9A 20.0 A 13A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.12 Ω 0.235 Ω
耗散功率 - 150 W 110 W
阈值电压 - 3 V 5.5 V
上升时间 - 46 ns 27 ns
输入电容(Ciss) - 2470pF @25V(Vds) 830pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 150 W 110 W
下降时间 - 38 ns 10 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 150W (Tc) 110W (Tc)
封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3
长度 - - 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm 6.22 mm
高度 - 2.38 mm 2.39 mm
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)