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FQD12N20L、PSMN130-200D,118、IRFR13N20DPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD12N20L PSMN130-200D,118 IRFR13N20DPBF

描述 LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFETNXP  PSMN130-200D,118  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 200 V, 0.12 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  IRFR13N20DPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 200 V, 235 mohm, 10 V, 5.5 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - 3 3

额定功率 2.5 W - 110 W

极性 N-CH N-Channel N-Channel

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 9A 20.0 A 13A

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.12 Ω 0.235 Ω

耗散功率 - 150 W 110 W

阈值电压 - 3 V 5.5 V

上升时间 - 46 ns 27 ns

输入电容(Ciss) - 2470pF @25V(Vds) 830pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 150 W 110 W

下降时间 - 38 ns 10 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 150W (Tc) 110W (Tc)

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

长度 - - 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm 6.22 mm

高度 - 2.38 mm 2.39 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)