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IRG4PC50UDPBF、IRG4PH50UDPBF、IGW30N60TFKSA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRG4PC50UDPBF IRG4PH50UDPBF IGW30N60TFKSA1

描述 INFINEON  IRG4PC50UDPBF  单晶体管, IGBT, 55 A, 2 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚Co-Pack IGBT 超过 21A,InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置 ### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。INFINEON  IGW30N60TFKSA1  单晶体管, IGBT, 30 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定功率 200 W 200 W 187 W

针脚数 3 - 3

耗散功率 200 W 200 W 187 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 1200 V 600 V

额定功率(Max) 200 W 200 W 187 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 200000 mW 200000 mW 187000 mW

反向恢复时间 50 ns 90 ns -

极性 N-Channel - -

输入电容 4000 pF - -

上升时间 25.0 ns - -

热阻 40 ℃/W - -

长度 15.87 mm 15.9 mm 16.13 mm

宽度 5.31 mm 5.3 mm 5.21 mm

高度 20.7 mm 20.3 mm 21.1 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99