BC32725BU、BC328-40、BC327-025G对比区别

高亮显示差异参数

型号 BC32725BU BC328-40 BC327-025G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC32725BU  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 625 mW, -800 mA, 100 hFETransistor: PNP; bipolar; 25V; 800mA; 625mW; TO92NPN 晶体管，最大 1A，ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Diotec Semiconductor ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92 TO-226-3

频率 100 MHz - 260 MHz

额定电压(DC) -45.0 V - -45.0 V

额定电流 -800 mA - -800 mA

极性 PNP - PNP

耗散功率 625 mW 625 mW 1.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V - 45 V

最小电流放大倍数(hFE) 160 @100mA, 1V - 160 @100mA, 1V

额定功率(Max) 625 mW - 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 1500 mW

针脚数 3 - -

集电极最大允许电流 0.8A - -

最大电流放大倍数(hFE) 630 - -

直流电流增益(hFE) 100 - -

增益频宽积 - 100 MHz -

长度 - - 5.2 mm

宽度 - - 4.19 mm

高度 5.33 mm - 5.33 mm

封装 TO-92-3 TO-92 TO-226-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Roll, Tape Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99