BUK444-200A、IRF630FI、STP10NB20FP对比区别

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型号 BUK444-200A IRF630FI STP10NB20FP

描述 功率MOS晶体管 PowerMOS transistorN沟道增强型功率MOS晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORN - 沟道增强型MOSFET的PowerMESH N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管

安装方式 Through Hole - Through Hole

封装 TO-220 - TO-220

极性 N-CH - N-CH

漏源极电压(Vds) 200 V - 200 V

连续漏极电流(Ids) 5.3A - 6A

封装 TO-220 - TO-220

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant