MT29F2G08ABAEAWP-IT:E、MT29F2G08ABAFAH4-IT:F、MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR对比区别

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型号 MT29F2G08ABAEAWP-IT:E MT29F2G08ABAFAH4-IT:F MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR

描述 MT29F2G08ABAEAWP-IT:E 托盘SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2Gbit 256M x 8Bit 30ns 63Pin VFBGAMT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR 编带

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 存储芯片Flash芯片Flash芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 63 48

封装 TSOP-48 BGA TSOP-48

工作电压 3.30 V - -

供电电流 35 mA 30 mA 35 mA

位数 8 8 8

内存容量 250000000 B - -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V - 2.7V ~ 3.6V

存取时间(Max) - 30 ns -

封装 TSOP-48 BGA TSOP-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 - Lead Free