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MCP632T-E/MF、MCP632T-E/SN、MCP632-E/MF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MCP632T-E/MF MCP632T-E/SN MCP632-E/MF

描述 24兆赫, 2.5毫安运算放大器 24 MHz, 2.5 mA Op Amps24兆赫, 2.5毫安运算放大器 24 MHz, 2.5 mA Op AmpsMCP631/632/633/634/635/639 Operational Amplifiers### 运算放大器,Microchip

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 DFN-8 SOIC-8 DFN-8

电源电压(DC) 2.50V (min) 2.50V (min) 2.50V (min)

输出电流 ≤150 mA 70 mA ≤150 mA

供电电流 2.5 mA 2.5 mA 2.5 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 - 81 dB 63 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

增益频宽积 24 MHz 24 MHz 24 MHz

输入补偿电压 1.8 mV 1.8 mV 8 mV

输入偏置电流 4 pA 4 pA 4 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

共模抑制比(Min) 63 dB 63 dB 63 dB

电源电压 - 2.5V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V

增益带宽 24 MHz - 24 MHz

工作电压 - - 2.5V ~ 5.5V

静态电流 - - 3.6 mA

带宽 - - 24 MHz

转换速率 - - 10.0 V/μs

电源电压(Max) - - 5.5V ~ 6V

长度 3 mm 4.9 mm 3 mm

宽度 3 mm 3.9 mm 3 mm

高度 0.88 mm 1.25 mm 0.88 mm

封装 DFN-8 SOIC-8 DFN-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17