IPD30N06S223ATMA1、IPD30N06S223ATMA2对比区别
型号 IPD30N06S223ATMA1 IPD30N06S223ATMA2
描述 Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N06S223ATMA1, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装N沟道 55V 30A
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
极性 N-CH N-CH
耗散功率 100W (Tc) 100W (Tc)
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 30A 30A
上升时间 23 ns 23 ns
输入电容(Ciss) 901pF @25V(Vds) 901pF @25V(Vds)
下降时间 18 ns 18 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 100W (Tc) 100W (Tc)
长度 6.73 mm 6.5 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.41 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准
含铅标准 Lead Free 无铅