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IRFP3710PBF、IRFP4310ZPBF、IRFP3710对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFP3710PBF IRFP4310ZPBF IRFP3710

描述 INFINEON  IRFP3710PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 57 A, 100 V, 25 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRFP4310ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0048 ohm, 20 V, 4 VTO-247AC N-CH 100V 57A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247

额定功率 180 W 280 W -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.025 Ω 0.0048 Ω 250 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 200 W 280 W 180 W

阈值电压 4 V 4 V -

输入电容 3000pF @25V 6860 pF -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 57A 134A 57.0 A

上升时间 59 ns 60 ns 59.0 ns

输入电容(Ciss) 3000pF @25V(Vds) 6860pF @50V(Vds) -

额定功率(Max) 200 W 280 W -

下降时间 48 ns 57 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 200W (Tc) 280000 mW -

漏源击穿电压 100 V - 100 V

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 57.0 A

产品系列 - - IRFP3710

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

长度 15.9 mm 15.87 mm -

宽度 5.3 mm 5.31 mm -

高度 20.3 mm 20.7 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -