FQA6N80、SPP08N80C3、FQPF7N80C对比区别
型号 FQA6N80 SPP08N80C3 FQPF7N80C
描述 800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFETINFINEON SPP08N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 VON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF7N80C, 6.6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-3-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 1.95 Ω 0.56 Ω 1.57 Ω
耗散功率 185W (Tc) 104 W 56 W
阈值电压 - 3 V 5 V
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
上升时间 - 15 ns 100 ns
输入电容(Ciss) 1500pF @25V(Vds) 1100pF @100V(Vds) 1290pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 185 W 104 W 56 W
下降时间 - 7 ns 60 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 185W (Tc) 104W (Tc) 56000 mW
额定电压(DC) 800 V 800 V -
额定电流 6.30 A 8.00 A -
极性 N-Channel N-Channel -
漏源击穿电压 800 V - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 6.30 A 8.00 A -
额定功率 - 104 W -
通道数 - 1 -
长度 - 10.36 mm 10.16 mm
宽度 - 4.4 mm 4.7 mm
高度 - 15.95 mm 9.19 mm
封装 TO-3-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - EAR99 -