IRL2203NS、IRL2203NSTRLPBF、IRL2203NSPBF对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRL2203NS IRL2203NSTRLPBF IRL2203NSPBF

描述 D2PAK N-CH 30V 116A晶体管, MOSFET, N沟道, 116 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  IRL2203NSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 116 A, 30 V, 7 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263 TO-263-3 TO-252-3

额定功率 - 170 W 170 W

通道数 - - 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.007 Ω 7 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 170 W 3.8 W 170 W

阈值电压 - 3 V 3 V

输入电容 - - 3290pF @25V

漏源极电压(Vds) 30.0 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V - 30 V

连续漏极电流(Ids) 116 A 116A 116A

上升时间 160 ns 160 ns 160 ns

输入电容(Ciss) 3290pF @25V(Vds) 3290pF @25V(Vds) 3290pF @25V(Vds)

下降时间 66 ns 66 ns 66 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3800 mW 3.8W (Ta), 180W (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc)

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 116 A 116 A -

产品系列 IRL2203NS - -

额定功率(Max) - 3.8 W -

长度 - 6.5 mm 10.67 mm

宽度 - 6.22 mm 9.65 mm

高度 - 2.3 mm 4.83 mm

封装 TO-263 TO-263-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free