BCW68G、BCW68HR、BCW68F对比区别

高亮显示差异参数

型号 BCW68G BCW68HR BCW68F

描述 BCW68G PNP三极管 -60V -800mA/-0.8A 100MHz 160~400 -1.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 12G 通用放大器双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BCW68H/SOT23/TO-236ASurface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Nexperia (安世) Diotec Semiconductor

分类

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

耗散功率 - 250 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V -

最小电流放大倍数(hFE) 160 @100mA, 1V 250 @100mA, 1V -

额定功率(Max) - 250 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 250 mW -

额定功率 0.35 W - -

极性 PNP - -

集电极最大允许电流 0.8A - -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 -