IPD036N04LGBTMA1、IRLR3114ZPBF、IPD90N04S404ATMA1对比区别

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型号 IPD036N04LGBTMA1 IRLR3114ZPBF IPD90N04S404ATMA1

描述 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD036N04LGBTMA1, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装INFINEON  IRLR3114ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 40 V, 0.0039 ohm, 10 V, 2.5 VInfineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD90N04S404ATMA1, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.003 Ω 0.0039 Ω 0.0037 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 94 W 140 W 71 W

阈值电压 1.2 V 2.5 V 3 V

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 90A 130A 90A

上升时间 5.4 ns 140 ns 11 ns

输入电容(Ciss) 4700pF @20V(Vds) 3810pF @25V(Vds) 2650pF @25V(Vds)

下降时间 6 ns 50 ns 11 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 94000 mW 140W (Tc) 71W (Tc)

额定功率 94 W 140 W -

通道数 1 - -

漏源击穿电压 40 V - -

长度 6.5 mm 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.3 mm 2.39 mm 2.41 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -