VNS3NV04DP-E、VNS3NV04DPTR-E、VNS3NV04D对比区别

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型号 VNS3NV04DP-E VNS3NV04DPTR-E VNS3NV04D

描述 OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronics40V,120mΩ,3.5A,双N沟道自带保护功率MOSFET“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 电源管理电源管理电源管理

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 4 W 4 W -

输出接口数 2 2 2

输出电流 3.5 A 3.5 A -

供电电流 0.1 mA 0.1 mA 0.1 mA

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 -

输出电流(Max) 3.5 A 3.5 A 3.5 A

输出电流(Min) 3.5 A 3.5 A 3.5 A

输入数 2 2 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

漏源极电阻 - - 120 mΩ

耗散功率 - - 4000 mW

漏源击穿电压 - - 45.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 3.50 A

耗散功率(Max) - - 4000 mW

电源电压(Max) - 55 V -

电源电压(Min) - 40 V -

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99