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2N1486、JAN2N1486、JANTX2N1486对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N1486 JAN2N1486 JANTX2N1486

描述 NPN硅中功率晶体管 NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTORNPN硅中功率晶体管 NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTORPower Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-8, Metal, 3 Pin

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) API Technologies

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-8-3 TO-8 -

极性 NPN NPN -

耗散功率 1.75 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 55 V 55 V -

集电极最大允许电流 3A 3A -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW -

最小电流放大倍数(hFE) - 35 @750mA, 4V -

额定功率(Max) - 1.75 W -

封装 TO-8-3 TO-8 -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -

ECCN代码 EAR99 - -