IRFS11N50APBF、IRFS11N50ATRR、SIHFS11N50A-GE3对比区别

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型号 IRFS11N50APBF IRFS11N50ATRR SIHFS11N50A-GE3

描述 Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.52Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, D2PAK-3MOSFET N-CH 500V 11A D2PAKMosfet n-Channel 500V

数据手册 ---

制造商 Vishay Intertechnology Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管

安装方式 - Surface Mount -

封装 - TO-263-3 D2PAK

耗散功率 - 170W (Tc) -

漏源极电压(Vds) - 500 V -

输入电容(Ciss) - 1423pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) - 170W (Tc) -

封装 - TO-263-3 D2PAK

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead -