SI4500BDY-T1-E3、SI4500BDY-T1-GE3对比区别

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型号 SI4500BDY-T1-E3 SI4500BDY-T1-GE3

描述 MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOICMOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

极性 - N-Channel, P-Channel

耗散功率 - 1.30 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) - 9.10 A

额定功率(Max) 1.3 W 1.3 W

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC