1N5538B-1TR、JANTX1N5538B-1、JAN1N5538B-1对比区别

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型号 1N5538B-1TR JANTX1N5538B-1 JAN1N5538B-1

描述 DO-35 18V 0.5W(1/2W)无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWJAN 系列 18 V 200 mA 500 mW 通孔 齐纳 二极管 - DO-35

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 2 2

封装 DO-35 DO-35 DO-35

容差 - ±5 % ±5 %

正向电压 - 1.1V @200mA 1.1V @200mA

耗散功率 500 mW 417 mW 0.5 W

测试电流 - 1 mA 1 mA

稳压值 18 V 18 V 18 V

额定功率(Max) - 500 mW 500 mW

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

封装 DO-35 DO-35 DO-35

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bag Bag

RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead