HAT2266H-EL-E、PSMN5R5-60YS,115、PSMN030-60YS,115对比区别

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型号 HAT2266H-EL-E PSMN5R5-60YS,115 PSMN030-60YS,115

描述 硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power SwitchingNXP Si N沟道 MOSFET PSMN5R5-60YS,115, 100 A, Vds=60 V, 4引脚 SOT-669封装LFPAK N-CH 60V 29A

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 4 5

封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669-4

通道数 - - 1

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 23 W 130 W 56 W

阈值电压 - 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 30A 100 A 29A

上升时间 15 ns 24 ns 6 ns

输入电容(Ciss) 3600pF @10V(Vds) 3501pF @30V(Vds) 686pF @30V(Vds)

额定功率(Max) 23 W 130 W 56 W

下降时间 5.5 ns 14 ns 5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 23W (Tc) 130W (Tc) 56W (Tc)

漏源极电阻 - 0.0036 Ω -

高度 - 1.1 mm 1.1 mm

封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669-4

长度 - 5 mm -

宽度 - 4.1 mm -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -