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BCX51E6327HTSA1、BCX51TA、BCX51E6433对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCX51E6327HTSA1 BCX51TA BCX51E6433

描述 SOT-89 PNP 45V 1A双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R; 1KSmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Diodes (美台) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-89 SOT-89-3 -

引脚数 - 4 -

极性 PNP PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V -

集电极最大允许电流 1A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V -

额定功率(Max) 2 W 1 W -

频率 - 150 MHz -

耗散功率 - 1000 mW -

最大电流放大倍数(hFE) - 25 @5mA, 2V -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 1 W -

封装 SOT-89 SOT-89-3 -

长度 - 4.5 mm -

宽度 - 2.5 mm -

高度 - 1.5 mm -

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

材质 - Silicon -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -