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MJD32CT4、MJD32CT4-A、MJD32C对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD32CT4 MJD32CT4-A MJD32C

描述 STMICROELECTRONICS  MJD32CT4  双极晶体管MJD32C 系列 100 V 3 A 表面贴装 PNP 低压 功率晶体管 - TO-252-3低电压PNP功率晶体管 Low voltage PNP power transistor

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) -100 V - -100 V

额定电流 -3.00 A - -3.00 A

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V

额定功率(Max) 15 W 15 W 15 W

针脚数 3 3 -

极性 PNP, P-Channel PNP -

耗散功率 15 W 15 W -

集电极最大允许电流 - 3A -

最大电流放大倍数(hFE) - 25 -

直流电流增益(hFE) 50 50 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 15000 mW 15000 mW -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - -