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MT46V16M16TG-75:F、MT46V16M16P-75:F、MT46V16M16P-75L:F对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT46V16M16TG-75:F MT46V16M16P-75:F MT46V16M16P-75L:F

描述 DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66Pin TSOP TrayDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66Pin TSOP TrayDDR DRAM, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.40 INCH, LEAD FREE,PLASTIC, TSOP-66

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 66 66 -

封装 TSSOP-66 TSSOP-66 TSOP

电源电压(DC) 2.50 V, 2.70 V (max) 2.50 V, 2.70 V (max) -

工作电压 2.50 V 2.50 V 2.50 V

时钟频率 133kHz (max) 133kHz (max) -

存取时间 7.50 ns 7.50 ns -

内存容量 256000000 B 256000000 B -

电源电压 2.3V ~ 2.7V 2.3V ~ 2.7V -

位数 - 16 -

存取时间(Max) - 0.75 ns -

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

长度 22.22 mm - -

宽度 10.16 mm - -

封装 TSSOP-66 TSSOP-66 TSOP

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -