IXFN100N50Q3、VMO80-05P1、IXFN100N50P对比区别

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型号 IXFN100N50Q3 VMO80-05P1 IXFN100N50P

描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备Mosfet n-Ch Eco-Pac2IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN100N50P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 100 A, 500 V, 49 mohm, 10 V, 5 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Chassis Chassis

封装 SOT-227-4 ECO-PAC2 SOT-227-4

引脚数 4 - 4

耗散功率 960W (Tc) - 1.04 kW

通道数 1 - 1

极性 N-CH - N-Channel

漏源极电压(Vds) 500 V - 500 V

连续漏极电流(Ids) 82A - 100 A

上升时间 20 ns - 29 ns

输入电容(Ciss) 13800pF @25V(Vds) - 20000pF @25V(Vds)

下降时间 15 ns - 26 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

耗散功率(Max) 960W (Tc) - 1040W (Tc)

额定功率 - - 1.04 kW

针脚数 - - 4

漏源极电阻 - - 0.049 Ω

阈值电压 - - 5 V

漏源击穿电压 - - 500 V

额定功率(Max) - - 1040 W

封装 SOT-227-4 ECO-PAC2 SOT-227-4

长度 38.23 mm - 38.23 mm

宽度 25.07 mm - 25.42 mm

高度 9.6 mm - 9.6 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)