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APT50M50JVR、SML50J77、STE70NM50对比区别

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型号 APT50M50JVR SML50J77 STE70NM50

描述 SOT-227 N-CH 500V 77ANchanne Enhancement Mode High Voltage Power MosfetsSTMICROELECTRONICS  STE70NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 45 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Semelab ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Screw - Screw

引脚数 4 - 4

封装 SOT-227 - ISOTOP-4

额定电压(DC) 500 V - 500 V

额定电流 77.0 A - 70.0 A

极性 N-CH - N-Channel

耗散功率 700 W - 600 W

输入电容 19.6 nF - -

栅电荷 1.00 µC - -

漏源极电压(Vds) 500 V - 500 V

连续漏极电流(Ids) 77.0 A - 30.0 A

上升时间 20 ns - 58 ns

输入电容(Ciss) 16300pF @25V(Vds) - 7500pF @25V(Vds)

下降时间 12 ns - 46 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 700000 mW - 600W (Tc)

额定功率 - - 600 W

针脚数 - - 4

漏源极电阻 - - 45 mΩ

阈值电压 - - 4 V

漏源击穿电压 - - 500 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

额定功率(Max) - - 600 W

封装 SOT-227 - ISOTOP-4

长度 - - 38.2 mm

宽度 - - 25.5 mm

高度 - - 9.1 mm

产品生命周期 Active Not Recommended Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - - 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99