AUIRFS4610、BUK7613-100E、STB80NF10T4对比区别

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型号 AUIRFS4610 BUK7613-100E STB80NF10T4

描述 INFINEON  AUIRFS4610  晶体管, MOSFET, N沟道, 73 A, 100 V, 0.011 ohm, 10 V, 2 VNXP  BUK7613-100E  晶体管, MOSFET, N沟道, 72 A, 100 V, 0.0102 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STB80NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3

额定功率 190 W - -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.011 Ω 0.0102 Ω 12 mΩ

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 190 W 182 W 300 W

阈值电压 2 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 73A 72A 80.0 A

上升时间 87 ns - 80 ns

输入电容(Ciss) 3550pF @50V(Vds) - 5500pF @25V(Vds)

下降时间 70 ns - 60 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 190W (Tc) - 300W (Tc)

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 80.0 A

漏源击穿电压 - - 100 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

额定功率(Max) - - 300 W

长度 10.67 mm - 10.4 mm

宽度 11.3 mm - 9.35 mm

高度 4.83 mm - 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Rail, Tube - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC