APT60N60BCSG、STY60NM60、STY80NM60N对比区别

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型号 APT60N60BCSG STY60NM60 STY80NM60N

描述 超级结MOSFET Super Junction MOSFETN沟道600V - 0.050ohm - 60A MAX247齐纳保护MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.050ohm - 60A Max247 Zener-Protected MDmesh⑩Power MOSFETN 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 45 mΩ 0.05 Ω 0.03 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 431 W 560 W 447 W

阈值电压 3 V 4 V 3 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 60.0 A 60.0 A 37.0 A

上升时间 20 ns 95 ns 65 ns

输入电容(Ciss) 7200pF @25V(Vds) 7300pF @25V(Vds) 10100pF @50V(Vds)

额定功率(Max) - 560 W 447 W

下降时间 10 ns 76 ns 200 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 431W (Tc) 560W (Tc) 447W (Tc)

额定电压(DC) 600 V 600 V -

额定电流 60.0 A 60.0 A -

输入电容 7.20 nF - -

栅电荷 190 nC - -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

长度 21.46 mm - 15.9 mm

宽度 16.26 mm - 5.3 mm

高度 5.31 mm - 20.3 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -