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IS43DR16640C-25DBL、W971GG6KB25I、W971GG6KB-25对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43DR16640C-25DBL W971GG6KB25I W971GG6KB-25

描述 1g, 1.8V, Ddr2, 64mx16, 400MHz @ Cl5, 84 Ball Bga (8mmx12.5mm) RohsIC SDRAM 1GBIT 400MHz 84BGA1-Gbit(64M x 16bit),工作电压:1.8V±0.1V

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 84 84 84

封装 BGA-84 TFBGA-84 TFBGA-84

安装方式 Surface Mount - -

供电电流 200 mA 120 mA 120 mA

存取时间(Max) 0.4 ns 0.4 ns 0.4 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 95 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

工作电压 - - 1.7V ~ 1.9V

位数 16 - 16

针脚数 84 - -

时钟频率 400 MHz - -

存取时间 400 ns - -

高度 - 0.8 mm 0.8 mm

封装 BGA-84 TFBGA-84 TFBGA-84

工作温度 0℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 95℃ 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

香港进出口证 - - NLR

ECCN代码 EAR99 - -