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IXFB82N60P、IXFK80N60P3、IXFX80N60P3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFB82N60P IXFK80N60P3 IXFX80N60P3

描述 N沟道 600V 82AN 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管中高压MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-247-3

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.077 Ω -

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 1250 W 1.3 kW 1300W (Tc)

阈值电压 5 V 5 V 5 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) - 80A 80A

上升时间 23 ns 25 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 23000pF @25V(Vds) 13100pF @25V(Vds) 13100pF @25V(Vds)

下降时间 24 ns 8 ns 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1250W (Tc) 1300W (Tc) 1300W (Tc)

通道数 - - 1

长度 - 19.96 mm 16.13 mm

宽度 - 5.13 mm 5.21 mm

高度 - 26.16 mm 21.34 mm

封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -