RD3L140SPTL1、RSD140P06TL对比区别
描述 晶体管, MOSFET, P沟道, -14 A, -60 V, 0.06 ohm, -10 V, -3 VP 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor
数据手册 --
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.06 Ω 0.06 Ω
耗散功率 20 W 20 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
上升时间 45 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 1900 pF 1900pF @10V(Vds)
下降时间 110 ns 110 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 20W (Tc) 20W (Tc)
极性 - P-Channel
阈值电压 - 3 V
额定功率(Max) - 20 W
封装 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.5 mm
宽度 - 5.5 mm
高度 - 2.3 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon
产品生命周期 Active Not For New Designs
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free