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RD3L140SPTL1、RSD140P06TL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RD3L140SPTL1 RSD140P06TL

描述 晶体管, MOSFET, P沟道, -14 A, -60 V, 0.06 ohm, -10 V, -3 VP 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.06 Ω 0.06 Ω

耗散功率 20 W 20 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

上升时间 45 ns 45 ns

输入电容(Ciss) 1900 pF 1900pF @10V(Vds)

下降时间 110 ns 110 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 20W (Tc) 20W (Tc)

极性 - P-Channel

阈值电压 - 3 V

额定功率(Max) - 20 W

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.5 mm

宽度 - 5.5 mm

高度 - 2.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon

产品生命周期 Active Not For New Designs

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free