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BSS138DW-7、BSS138DW-7-F、BSS138_R1_00001对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS138DW-7 BSS138DW-7-F BSS138_R1_00001

描述 BSS138DW-7 N沟道MOSFET 50V 200mA/0.2A SOT-363/SC70-6/TSSOP6 marking/标记 k38 额定雪崩/逻辑电平BSS138DW-7-F 编带Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) PANJIT Touch Screens

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 6 6 -

封装 SOT-363-6 SC-70-6 -

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 200 mA 200 mA -

通道数 - 2 -

针脚数 - 6 -

漏源极电阻 3.50 Ω 3.5 Ω -

极性 N-Channel Dual N-Channel -

耗散功率 200 mW 200 mW -

阈值电压 - 1.2 V -

漏源极电压(Vds) 50 V 50 V -

连续漏极电流(Ids) 200 mA 200 mA -

输入电容(Ciss) 50pF @10V(Vds) 50pF @10V(Vds) -

额定功率(Max) 200 mW 200 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

漏源击穿电压 50.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

耗散功率(Max) 200 mW - -

长度 2.2 mm 2.2 mm -

宽度 1.35 mm 1.35 mm -

高度 1 mm 1 mm -

封装 SOT-363-6 SC-70-6 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -