PMF400UN、PMF400UN,115对比区别

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型号 PMF400UN PMF400UN,115

描述 PMF400UN N沟道MOSFET 30v 830mA/0.83A SOT-323/SC-70 marking/标记 F3 快速开关/低功率损耗/极低的RDSNXP  PMF400UN,115  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 30 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 700 mV

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 SOT-323 SOT-323-3

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.4 Ω

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 - 560 mW

阈值电压 - 700 mV

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 0.83A 830 mA

上升时间 - 7.5 ns

输入电容(Ciss) - 43pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 560 mW

下降时间 - 4.5 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 560mW (Tc)

长度 - 2.2 mm

宽度 - 1.35 mm

高度 - 1 mm

封装 SOT-323 SOT-323-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 - Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

香港进出口证 - NLR