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APT10M11LVFRG、APT10M11LVR、APT10M11LVFR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT10M11LVFRG APT10M11LVR APT10M11LVFR

描述 TO-264 N-CH 100V 100ATO-264 N-CH 100V 100AHigh Voltage N-Channel enhancement mode power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Advanced Power Technology

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-264 TO-264 -

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 100 A - -

极性 N-CH N-CH -

输入电容 10.3 nF - -

栅电荷 450 nC - -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

连续漏极电流(Ids) 100 A 100A -

封装 TO-264 TO-264 -

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 RoHS Compliant - -

含铅标准 Lead Free - -