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FDS8928A、IRF7319PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS8928A IRF7319PBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8928A  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 5.5 A, 30 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 670 mVINFINEON  IRF7319PBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 30 V, 29 mohm, 10 V, 1 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 - 2 W

通道数 - 2

针脚数 8 8

漏源极电阻 0.025 Ω 0.029 Ω

极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel

耗散功率 2 W 2 W

阈值电压 670 mV 1 V

漏源极电压(Vds) 30V, 20V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 5.50 A 6.5A/4.9A

输入电容(Ciss) 900pF @10V(Vds) 650pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2 W

额定电流 5.50 A -

产品系列 - -

上升时间 23.0 ns -

工作结温(Max) - -

输入电容 1.13 nF -

栅电荷 20.0 nC -

栅源击穿电压 ±8.00 V -

长度 - 5 mm

宽度 - 4 mm

高度 - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99